Sapphire Al2O3 Wafer & Ingot Featured Image

Safira Al₂O₃Wafer & Ingot

Description

Sapphire Single Crystal Wafer & Ingotor Aluminum Oxide Al₂O₃99.999% min, fantatra ihany koa amin'ny anarana hoe vato fotsy, rafitra hexagonal anisotropic, dia fitaovana tena ilaina amin'ny tanjona optique tsy manam-paharoa, fananana ara-batana ary fananana simika, manana hamafin'ny ety ivelany, conductivity mafana avo, tsy tapaka dielectric avo, mangarahara tsara ary tsara. fitoniana simika miaraka amin'ny fanoherana ny asidra simika sy alkali.safira Kristaly tokana na Aluminum Oxide kristaly tokana Al₂O₃Ny fahadiovana 99.999% ao amin'ny Western Minmetals (SC) Corporation dia azo atolotra amin'ny haben'ny savaivony 2″, 4″ ary 6″ (50mm, 100mm, 150mm) wafer sy ingot, miaraka amin'ny endriny vita amin'ny etched, voapoizina na epi-ready vita.Izay voafaritra manokana sy ny habeny no vahaolana tsara indrindra ho an'ny mpanjifantsika maneran-tany.

Applications

Noho ny tanjaky ny rafitry ny kristaly mafy faharoa manaraka ny diamondra, ny kristaly safira dia be mpampiasa amin'ny fanamboarana ny kristaly tokana substrate, superconducting film substrate fitaovana, manga, volomparasy sy fotsy jiro emitting diodes LEDs, hafanana avo infrared varavarankely, ary a Blue laser LD Industrial tiana substrate.Single Crystal Sapphire na Al2O3 aliminioma oxide kristaly tokana dia ilaina amin'ny fifindran'ny 0.2-5.5 μm ary koa amin'ny indostrian'ny famokarana semiconductor matanjaka hafa.

Fanontaniana izao

tsipiriany

Tags

Famaritana ara-teknika

Safira Crystal Al₂O₃

Crystal safira, miaraka amin'ny tanjany ara-drafitra ny kristaly mafy faharoa manaraka ny diamondra, dia be mpampiasa amin'ny fanamboarana ny kristaly tokana substrate, superconducting sarimihetsika substrate fitaovana, manga, volomparasy sy fotsy jiro emitting diodes LEDs, avo-mari-panafana infrared varavarankely, ary tamin'ny laser manga. LD Industrial preferred substrate.Single Crystal Sapphire na Al2O3 aliminioma oxide kristaly tokana dia ilaina amin'ny fifindran'ny 0.2-5.5 μm ary koa amin'ny indostrian'ny famokarana semiconductor matanjaka hafa.

Tsia.	zavatra	Famaritana mahazatra
1	Savaivony mm	50.8±0.05	100±0.1	150±0.2
2	Fomba fitomboana	HEM	HEM	HEM
3	Orientation	(CA) na (CM)	(CA) na (CM)	(CA) na (CM)
4	Toerana fisaka voalohany	A-axis ± 0.2°	A-axis ± 0.2°	A-axis ± 0.2°
5	Kilonga fisaka Halava mm	16±0.5	30±0.5	47.5±0.5
6	Hatevina μm	430±10	650±20	1300±20
7	TTV μm max	5	10	15
8	Bow μm max	5	10	15
9	Avelao μm max	8	15	30
10	Surface vita	P/E	P/E	P/E
11	Habetsahan'ny Surface nm	<0.2 (epi-ready, ho an'ny faritra voapoizina)
12	Fonosana	Ao anaty kitapo banga feno atmosfera azota
13	fanamarihana	Ny ingot sy ny ampahany hatramin'ny 8" dia azo alaina amin'ny fangatahana.

Formula Linear	Al₂O₃
Lanja molekiola	101.96
Firafitra kristaly	misy lafiny enina
Bika Aman 'endrika	Mafy mangarahara
Teboka fandoroana	2050 °C, 3720 °F
Teboka mangotraka	2977 °C, 5391 °F
Density amin'ny 300K	4,0 g/cm³
Energy Gap	N / A
Intrinsic resistivity	1E16 Ω-cm
CAS laharana	1344-28-1
EC Number	N / A

Safira tokana kristalynaAluminum Oxidekristaly tokana Al₂O₃Ny fahadiovana 99.999% ao amin'ny Western Minmetals (SC) Corporation dia azo atolotra amin'ny haben'ny savaivony 2″, 4″ ary 6″ (50mm, 100mm, 150mm) wafer sy ingot, miaraka amin'ny endriny vita amin'ny etched, voapoizina na epi-ready vita.Izay voafaritra manokana sy ny habeny no vahaolana tsara indrindra ho an'ny mpanjifantsika maneran-tany.