CZ Silicon Wafer

Description

CZ Single Crystal Silicon Wafer dia notapatapahina tamin'ny ingot silisiôma kristaly tokana nosintonin'ny fomba fitomboan'ny Czochralski CZ, izay be mpampiasa indrindra amin'ny fitomboan'ny kristaly silisiôma amin'ny ingots cylindrical lehibe ampiasaina amin'ny indostrian'ny elektronika mba hanaovana fitaovana semiconductor.Ao anatin'izany dingana izany, ny voan'ny silisiôma kristaly manify miaraka amin'ny fandeferana mazava tsara dia ampidirina ao amin'ny fandroana silisiôna voarendrika izay voafehy tsara ny mari-pana.Ny krystaly voa dia misintona tsikelikely miakatra avy any amin'ny fandoroana amin'ny tahan'ny tena voafehy, ny fanamafisana ny atôma amin'ny dingan'ny ranon-javatra dia mitranga amin'ny interface iray, ny kristaly voa sy ny crucible dia mihodina amin'ny lalana mifanohitra mandritra ity dingana ity, mamorona tokana tokana. silisiôma kristaly miaraka amin'ny firafitry ny voa tsara indrindra.

Noho ny sahan'andriamby ampiharina amin'ny CZ ingot fisintonana, Magnetic-field-induced Czochralski MCZ krystaly silisiôma tokana dia ambany kokoa ny fifantohan'ny fahalotoana, ambany kokoa ny haavon'ny oksizenina sy ny dislocation, ary ny fiovaovan'ny fanoherana fanamiana izay miasa tsara amin'ny fitaovana elektronika avo lenta sy fitaovana. fanamboarana amin'ny indostria elektronika na photovoltaic.

Delivery

CZ na MCZ Single Crystal Silicon Wafer n-karazana sy p-karazana conductivity ao amin'ny Western Minmetals (SC) Corporation dia azo atolotra amin'ny haben'ny 2, 3, 4, 6, 8 ary 12 santimetatra savaivony (50, 75, 100, 125, 150, 200 ary 300mm), orientation <100>, <110>, <111> miaraka amin'ny endriny vita amin'ny lapped, voasokitra ary voaporitra ao anaty fonosana boaty na kasety misy boaty baoritra ivelany.

Fanontaniana izao

tsipiriany

Tags

Famaritana ara-teknika

CZ Silicon Wafer

CZ Single Crystal Silicon Wafer dia ny akora fototra amin'ny famokarana faritra mitambatra, diodes, transistors, singa discrete, ampiasaina amin'ny karazana fitaovana elektronika rehetra sy ny semiconductor fitaovana, ary koa ny substrate amin'ny fanodinana epitaxial, SOI wafer substrate na semi-insulating fitambarana wafer fabrication, indrindra fa lehibe. Ny savaivony 200mm, 250mm ary 300mm dia tsara indrindra amin'ny famokarana fitaovana tena tafiditra indrindra.Single Crystal Silicon ihany koa dia ampiasaina ho an'ny sela masoandro amin'ny be dia be ny photovoltaic indostria, izay saika tonga lafatra rafitra kristaly manome ny avo indrindra hazavana-to-elektrika fahombiazana fiovam-po.

Tsia.	zavatra	Famaritana mahazatra
1	Size	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Savaivony mm	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5	200±0.5	300±0.5
3	Conductivity	P na N na tsy doped
4	Orientation	<100>, <110>, <111>
5	Hatevina μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 na raha ilaina
6	Resistivity Ω-cm	≤0.005, 0.005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 sns
7	RRV max	8%, 10%, 12%
8	Kilonga fisaka/Lava mm	Araka ny fenitra SEMI na araka izay takiana
9	Fisaka faharoa/Lava mm	Araka ny fenitra SEMI na araka izay takiana
10	TTV μm max	10	10	10	10	10	10
11	Bow & Warp μm max	30	30	30	30	30	30
12	Surface vita	As-cut, L/L, P/E, P/P
13	Fonosana	Boaty foam na kasety anatiny, boaty baoritra ivelany.

marika famantarana	Si
Laharana atomika	14
Lanja atomika	28.09
Sokajy singa	Metalloid
Vondrona, Vanim-potoana, Block	14, 3, P
Firafitra kristaly	Diamond
loko	Maitso maitso
Teboka fandoroana	1414°C, 1687,15 K
Teboka mangotraka	3265°C, 3538,15 K
Density amin'ny 300K	2,329 g/cm³
Intrinsic resistivity	3.2E5 Ω-cm
CAS laharana	7440-21-3
EC Number	231-130-8

CZ na MCZ Single Crystal Silicon WaferNy conductivity n-karazana sy p-karazana ao amin'ny Western Minmetals (SC) Corporation dia azo atolotra amin'ny haben'ny 2, 3, 4, 6, 8 ary 12 santimetatra savaivony (50, 75, 100, 125, 150, 200 ary 300mm), orientation <100>, <110>, <111> miaraka amin'ny endriny vita amin'ny as-cut, lapped, voasokitra ary voaporitra ao anaty fonosana boaty na kasety misy boaty baoritra ivelany.