Indium Arsenide InAs

Description

Ny kristaly Indium arsenide InAs dia semiconductor fitambaran'ny vondrona III-V novolavolaina tamin'ny singa Indium sy Arsenika madio 6N 7N farafahakeliny ary kristaly tokana natsangana tamin'ny alàlan'ny VGF na Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) dingana, endrika loko volondavenona, kristaly cubic misy firafitra zinc-blende. , mari-pana 942°C.Indium arsenide band gap dia fifindrana mivantana mitovy amin'ny gallium arsenide, ary ny sakan'ny tarika voarara dia 0.45eV (300K).Ny kristaly InAs dia manana fitoviana avo amin'ny mari-pamantarana elektrika, lattice tsy tapaka, fivezivezena elektronika avo ary hakitroky ambany.Ny krystaly InAs cylindrical novolavolain'ny VGF na LEC dia azo tetehina sy amboarina ho ovy notapatapahina, voasokitra, voaporitra na epi-vonona ho an'ny fitomboan'ny epitaxial MBE na MOCVD.

Applications

Indium arsenide crystal wafer dia substrate lehibe amin'ny fanaovana fitaovana Hall sy sensor sahan'andriamby ho an'ny fivezivezena ambony indrindra ao amin'ny efitrano fa ny elanelan'ny angovo tery, fitaovana tsara indrindra ho an'ny fananganana mpitsikilo infrarouge miaraka amin'ny halavan'ny onjam-peo 1-3.8 µm ampiasaina amin'ny fampiharana mahery vaika. amin'ny mari-pana ao amin'ny efitrano, ary koa ny onjam-pandrefesana infrarouge super lattice lasers, mid-infrared LEDs fitaovana fanamboarana ho an'ny 2-14 μm wavelength range.Ankoatr'izay, ny InAs dia substrate tsara indrindra hanohanana bebe kokoa ny InGaAs heterogeneous, InAsSb, InAsPSb & InNASSb na AlGaSb super lattice rafitra sns.

Fanontaniana izao

tsipiriany

Tags

Famaritana ara-teknika

Indium arsenide

InAs

Indium Arsenide Crystal Waferdia substrate lehibe amin'ny fanaovana fitaovana Hall sy sensor sahan'andriamby ho an'ny fivezivezena ambony indrindra ao amin'ny efitrano fa ny elanelana angovo tery, fitaovana tsara indrindra ho an'ny fananganana detector infrarouge miaraka amin'ny halavan'ny onjam-peo 1-3.8 µm ampiasaina amin'ny fampiharana mahery vaika amin'ny mari-pana amin'ny efitrano, ary koa ny midadasika infrarouge super lattice lasers, antonony infrared LEDs fitaovana fanamboarana ho an'ny 2-14 μm halavan'ny onjam isan-karazany.Ankoatr'izay, ny InAs dia substrate tsara indrindra hanohanana bebe kokoa ny InGaAs heterogeneous, InAsSb, InAsPSb & InNASSb na AlGaSb super lattice rafitra sns.

Tsia.	zavatra	Famaritana mahazatra
1	Size	2"	3"	4"
2	Savaivony mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Fomba fitomboana	LEC	LEC	LEC
4	Conductivity	P-karazana/Zn-doped, N-karazana/S-doped, Un-doped
5	Orientation	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Hatevina μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientation fisaka mm	16±2	22±2	32±2
8	Famantarana Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	Fandefasana cm2/Vs	60-300, ≥2000 na araka izay takiana
10	Fiarahan'ny mpitatitra cm-3	(3-80)E17 na ≤5E16
11	TTV μm max	10	10	10
12	Bow μm max	10	10	10
13	Afo μm max	15	15	15
14	Dislocation Density cm-2 max	1000	2000	5000
15	Surface vita	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Fonosana	Wafer tokana voaisy tombo-kase ao anaty kitapo Aluminum.

Formula Linear	InAs
Lanja molekiola	189.74
Firafitra kristaly	Zinc blende
Bika Aman 'endrika	Gray kristaly mafy
Teboka fandoroana	(936-942)°C
Teboka mangotraka	N / A
Density amin'ny 300K	5,67 g/cm³
Energy Gap	0.354 eV
Intrinsic Resistivity	0,16 Ω-cm
CAS laharana	1303-11-3
EC Number	215-115-3

Indium Arsenide InAsao amin'ny Western Minmetals (SC) Corporation dia azo omena ho vongan-polycrystalline na kristaly tokana toy ny notapatapahina, voasokitra, voaporitra, na epi-ready amin'ny haben'ny 2 "3" sy 4" (50mm, 75mm, 100mm), ary p-karazana, n-karazana na tsy misy doped conductivity ary <111> na <100> orientation.Ny fepetra manokana dia natao ho an'ny vahaolana tonga lafatra ho an'ny mpanjifantsika maneran-tany.