Gallium Antimonide GaSb

Description

Gallium Antimonide GaSb, Semiconductor an'ny vondrona III-V miaraka amin'ny firafitry ny lattice zinc-blende, dia novolavolaina tamin'ny gallium madio sy antimony 6N 7N, ary nitombo ho kristaly tamin'ny fomba LEC avy amin'ny ingot polycrystalline na VGF amin'ny fomba EPD <1000cm.^-3.Ny wafer GaSb dia azo tetehina sy amboarina avy eo amin'ny ingot kristaly tokana miaraka amin'ny fitoviana avo amin'ny mari-pamantarana elektrika, ny rafitra makarakara tsy manam-paharoa sy tsy tapaka, ary ny hakitroky ambany, ny mari-pamantarana refractive avo indrindra noho ny ankamaroan'ny zavatra tsy metaly hafa.Ny GaSb dia azo karakaraina amin'ny safidy malalaka amin'ny orientation marina na tsy misy, fifantohana doped ambany na avo, vita amin'ny tany tsara ary ho an'ny fitomboan'ny epitaxial MBE na MOCVD.Ny substrate Gallium Antimonide dia ampiasaina amin'ny fampiharana sary-optic sy optoelektronika faran'izay haingana indrindra toy ny fanamboaran-tsarin'ny sary, mpitsikilo infrarouge miaraka amin'ny androm-piainana, fahatsapan-tena sy azo itokisana, singa photoresist, LED infrarouge sy laser, transistors, cellule photovoltaic thermal ary rafitra thermo-photovoltaic.

Delivery

Gallium Antimonide GaSb ao amin'ny Western Minmetals (SC) Corporation dia azo atolotra miaraka amin'ny karazana n-karazana, p-karazana ary tsy mitongilana semi-insulating conductivity amin'ny haben'ny 2 "3" sy 4" (50mm, 75mm, 100mm) savaivony, orientation <111> na <100>, ary miaraka amin'ny epitaxy vita amin'ny epitaxy efa notapatapahina, voasokitra, vita amin'ny kalitao avo lenta.Ny silaka rehetra dia nosoratana tamin'ny laser manokana ho an'ny maha-izy azy.Mandritra izany fotoana izany, polycrystalline gallium antimonide GaSb lump dia namboarina ihany koa amin'ny fangatahana vahaolana tonga lafatra.

Fanontaniana izao

tsipiriany

Tags

Famaritana ara-teknika

Gallium Antimonide

GaSb

Gallium Antimonide GaSbNy substrate dia ampiasaina amin'ny fampiharana sary-optic sy optoelektronika faran'izay haingana indrindra toy ny famotsorana ireo mpitsikilo sary, mpitsikilo infrarouge miaraka amin'ny androm-piainana, fahatsapana sy fahamendrehana avo lenta, singa photoresist, LED infrarouge sy laser, transistors, sela photovoltaic thermal ary thermo. - rafitra photovoltaic.

	zavatra	Famaritana mahazatra
1	Size	2"	3"	4"
2	Savaivony mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Fomba fitomboana	LEC	LEC	LEC
4	Conductivity	P-karazana/Zn-doped, Un-doped, N-karazana/Te-doped
5	Orientation	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Hatevina μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientation fisaka mm	16±2	22±1	32.5±1
8	Famantarana Flat mm	8±1	11±1	18±1
9	Fandefasana cm2/Vs	200-3500 na raha ilaina
10	Fiarahan'ny mpitatitra cm-3	(1-100)E17 na araka izay ilaina
11	TTV μm max	15	15	15
12	Bow μm max	15	15	15
13	Avelao μm max	20	20	20
14	Dislocation Density cm-2 max	500	1000	2000
15	Surface vita	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Fonosana	Wafer tokana voaisy tombo-kase ao anaty kitapo Aluminum.

Formula Linear	GaSb
Lanja molekiola	191.48
Firafitra kristaly	Zinc blende
Bika Aman 'endrika	Gray kristaly mafy
Teboka fandoroana	710°C
Teboka mangotraka	N / A
Density amin'ny 300K	5,61 g/cm³
Energy Gap	0.726 eV
Intrinsic resistivity	1E3 Ω-cm
CAS laharana	12064-03-8
EC Number	235-058-8

Gallium Antimonide GaSbao amin'ny Western Minmetals (SC) Corporation dia azo atolotra amin'ny karazana n-karazana, p-karazana ary tsy misy doka semi-insulating conductivity amin'ny haben'ny 2 "3" sy 4" (50mm, 75mm, 100mm) savaivony, orientation <111> na <100 >, ary miaraka amin'ny tampon'ny wafer vita amin'ny vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita vita amin'ny epitaxy.Ny silaka rehetra dia nosoratana tamin'ny laser manokana ho an'ny maha-izy azy.Mandritra izany fotoana izany, polycrystalline gallium antimonide GaSb lump dia namboarina ihany koa amin'ny fangatahana vahaolana tonga lafatra.