FZ Silicon Wafer

Description

FZ Single Crystal Silicon Wafer,Float-zone (FZ) Silicon dia silisiôma tena madio miaraka amin'ny oksizenina sy loto karbônina ambany indrindra tarihin'ny teknolojia fanadiovana faritra mitsinkafona.FZ Floating zone dia fomba fambolena kristaly tokana izay tsy mitovy amin'ny fomba CZ izay misy kristaly voa mipetaka eo ambanin'ny ingot silika polycrystalline, ary ny sisin-tany eo anelanelan'ny kristaly voa sy ny silika kristaly polycrystalline dia levon'ny RF coil induction fanafanana ho an'ny kristaly tokana.Miakatra miakatra ny coil RF sy ny faritra mitsonika, ary ny kristaly tokana dia mivaingana eo ambonin'ny kristaly voa.Ny silisiôma mitsingevana dia azo antoka amin'ny fizarana dopant fanamiana, fiovaovan'ny fanoherana ambany kokoa, mametra ny habetsaky ny loto, ny androm-piainan'ny mpitatitra be dia be, ny tanjona avo lenta ary ny silisiôma madio.Ny silisiôma mitsingevana dia safidy madio kokoa amin'ny kristaly novokarin'ny dingana Czochralski CZ.Miaraka amin'ny toetra mampiavaka an'io fomba io, ny FZ Single Crystal Silicon dia mety tsara ampiasaina amin'ny fanamboarana fitaovana elektronika, toy ny diodes, thyristors, IGBTs, MEMS, diode, fitaovana RF ary MOSFET herinaratra, na ho substrate ho an'ny sombin-tsolika avo lenta na detector optika. , fitaovana herinaratra sy sensor, cellule solar mahomby sns.

Delivery

FZ Single Crystal Silicon Wafer N-karazana sy P-karazana conductivity ao amin'ny Western Minmetals (SC) Corporation dia azo atolotra amin'ny haben'ny 2, 3, 4, 6 ary 8 inch (50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm ary 200mm) ary orientation <100>, <110>, <111> miaraka amin'ny endriny vita amin'ny As-cut, Lapped, etched ary voapoizina ao anaty fonosana boaty na kasety misy boaty baoritra ivelany.

Fanontaniana izao

tsipiriany

Tags

Famaritana ara-teknika

FZ Silicon Wafer

FZ Single Crystal Silicon Waferna FZ Mono-crystal Silicon Wafer amin'ny conductivity intrinsic, n-type ary p-type ao amin'ny Western Minmetals (SC) Corporation dia azo atolotra amin'ny haben'ny 2, 3, 4, 6 ary 8 santimetatra amin'ny savaivony (50mm, 75mm, 100mm). , 125mm, 150mm ary 200mm) ary isan-karazany ny hateviny avy amin'ny 279um ka hatramin'ny 2000um amin'ny <100>, <110>, <111> orientation miaraka amin'ny faran'ny etỳ ambonin'ny notapatapahina, lapped, voasokitra ary voaporitra ao anaty fonosana boaty na kasety. miaraka amin'ny baoritra ivelany.

Tsia.	zavatra	Famaritana mahazatra
1	Size	2"	3"	4"	5"	6"
2	Savaivony mm	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	125±0.5	150±0.5
3	Conductivity	N/P	N/P	N/P	N/P	N/P
4	Orientation	<100>, <110>, <111>
5	Hatevina μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 na raha ilaina
6	Resistivity Ω-cm	1-3, 3-5, 40-60, 800-1000, 1000-1400 na araka izay ilaina
7	RRV max	8%, 10%, 12%
8	TTV μm max	10	10	10	10	10
9	Tsipìka/Fananana μm max	30	30	30	30	30
10	Surface vita	As-cut, L/L, P/E, P/P
11	Fonosana	Boaty foam na kasety anatiny, boaty baoritra ivelany.

marika famantarana	Si
Laharana atomika	14
Lanja atomika	28.09
Sokajy singa	Metalloid
Vondrona, Vanim-potoana, Block	14, 3, P
Firafitra kristaly	Diamond
loko	Maitso maitso
Teboka fandoroana	1414°C, 1687,15 K
Teboka mangotraka	3265°C, 3538,15 K
Density amin'ny 300K	2,329 g/cm³
Intrinsic resistivity	3.2E5 Ω-cm
CAS laharana	7440-21-3
EC Number	231-130-8

FZ Single Crystal Silicon, miaraka amin'ny toetra lehibe indrindra amin'ny fomba Float-zone (FZ), dia mety tsara ampiasaina amin'ny fanamboarana fitaovana elektronika, toy ny diodes, thyristors, IGBTs, MEMS, diode, fitaovana RF ary MOSFET herinaratra, na ho substrate ho an'ny vahaolana avo lenta. sombintsombiny na optique detectors, hery fitaovana sy ny sensor, fahombiazana avo solar cell sns.